Boule- und Ingot-Charakterisierung


Optimale Wachstumsprozesse von Siliciumcarbid, Galliumarsenid und weitere sind entscheidend für anspruchsvolle Halbleiteranwendungen. Neben hochmodernen Verfahren wie der Czochralski-Methode gibt es alternative Technologien für die Kristallzüchtung, z.B. aus der Gas- oder Flüssigphase. Defekte bei Kristallzüchtungen wie Dislocation und Facetten sollen möglichst minimiert werden. Eine Lösung zur Charakterisierung der Prozesse auf Boule und Wafer-Ebene ist die Hochfrequenzwirbelstrom-Technologie.

Messaufgaben

  • Spezifischer Widerstand
  • Impedanz
  • Homogenität
  • Defektoskopie
  • Facetten-Detektion

Lösung

  • Berührungsloser, hochauflösender Boule und Ingot-Charakterisierung in Reflektions-Messung
  • Ermittlung der elektrischen Impedanz aus unterschiedlicheb Eindringtiefen
  • Automatisierte Lösung für hochauflösende Bildgebung

SEMI Standards

  • SEMI MF673 — Test Method for Measuring Resistivity of Semiconductor Wafers or Sheet Resistance of Semiconductor Films with a Noncontact Eddy-Current Gauge
  • SEMI M59 — Terminology for Silicon Technology
  • SEMI MF81 — Test Method for Measuring Radial Resistivity Variation on Silicon Wafers
  • SEMI MF84 — Test Method for Measuring Resistivity of Silicon Wafers with an In-Line Four-Point Probe
  • SEMI MF374 — Test Method for Sheet Resistance of Silicon Epitaxial, Diffused, Polysilicon, and Ion-Implanted Layers Using an In-Line Four-Point Probe with the Single-Configuration Procedure
  • SEMI MF1527 — Guide for Application of Certified Reference Materials and Reference Wafers for Calibration and Control of Instruments for Measuring Resistivity of Silicon

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