Der EddyCus® TF map 2530 C2C ist ein vollautomatisches Messgerät zur vollflächigen Charakterisierung von Wafersubstraten oder -beschichtungen, um die Prozesssicherheit und die Qualitätssicherung, in der Halbleiterindustrie, zu gewährleisten.

Das System ist mit zwei kontaktlosen Wirbelstromsensoren, die im Transmissionsmodus arbeiten, ausgestattet. Damit kann die Homogenität des Substratmaterials oder der leitenden Beschichtung sehr detailliert dargestellt werden.

Messbereiche des EddyCus® TF map C2C für den Schichtwiderstand, die Schichtdicke und den elektrischen Widerstand

Ganz gleich welche Eigenschaft ihres Wafers sie Messen wollen, unser System ist in der Lage, den Schichtwiderstand oder die Metallschichtdicke einer Dünnschicht sowie den spezifischen Widerstand des Wafersubstrats zu messen.

WAS IST IHRE MESSAUFGABE?

 

Kontaktfrei arbeitendes bildgebendes EddyCus® TF map C2C  System mit automatischem Wafer-Handling, durch ultraschall Waferpaddle und kontaktfreie Wirbelstromsensoren

Keine Berührung der Waferoberfläche

Bei der Entwicklung des Geräts wurde darauf Wert gelegt, Kontakte des Systems mit dem Wafer auf ein Minimum zu reduzieren, um die Integrität des Wafers nicht zu beeinflussen. Darum arbeitet das Gerät nahezu komplett berührungslos. Die Oberfläche des Wafersubstrats oder der -beschichtung wird nicht berührt. Kontakt besteht ausschließlich punktuell und mit geringem Krafteinsatz an den Seitenflächen des Wafers. Schauen sie sich dazu gern unser Video zum EddyCus® TF map 2530 C2C an, um den Handling-Vorgang zu verstehen.


 

Hochauflösendes, vollflächiges Wafer-Mapping

Das Messgerät erstellt ein hochauflösendes, vollflächiges Mapping des Wafers oder der Beschichtung, das Ihnen einen tiefen Einblick in die Güte des charakterisierten Wafers ermöglicht. Je nach Einstellung und abhängig von ihren zeitlichen Anforderungen sind Mappings mit wenigen dutzend bis zu mehreren zehntausend Messpunkten möglich.

Die Software bietet darüber hinaus verschiedene Analysewerkzeuge, wie ein Histogram oder verschiedene Linienprofile. Damit sie sich ein Areal auf dem Wafer besonders detailliert anschauen können, können sie die betreffende Stelle mit dem Auswahlwerkzeug anwählen und wieder mittels Linienprofilen oder dem Histogram analysieren.

Softwaredarstellung mit hochauflösenden Schichtwiderstands-Wafermapping des EddyCus® TF map C2C

 

Zwei Wafer-Kassetten mit der Größe 6 Zoll und 8 Zoll für die mögliche Verwendung mit dem EddyCus® TF map C2C Automated Wafer Handling Mapper

Wafer Carrier für 150 mm und 200 mm Wafer

Der EddyCus® TF map 2530 C2C besitzt eine Ladevorrichtung die einen Wafer-Carrier mit 150 mm (6 inch) Wafern und 200 mm (8 inch) Wafern aufnehmen kann. Die Wafer-Carrier besitzen eine Kapazität von 25 Wafern.


 

Automatisiertes Wafer Handling

Das automatisierte Wafer-Handling ist ein wertvolles Instrument für Fertigungsunternehmen, die den Zeitaufwand für die Handhabung von Wafern reduzieren müssen. Unser automatisiertes Wafer-Handling-System hilft, die Arbeitskosten zu senken, die Genauigkeit der Wafer-Verarbeitung zu verbessern und das Risiko menschlicher Fehler zu verringern. Das System ist so programmiert, dass es Wafer präzise misst, handhabt und von der Kassette zur Messstation und zurück zur Kassette transportiert. Dadurch entfällt die Notwendigkeit einer manuellen Handhabung der Wafer, die zu Messfehlern und möglichen Schäden an den Wafern führen kann.

Berührungsloser, automatisierter Ultraschall-Wafer-Handling-Mechanismus des EddyCus® TF map C2C Mapping-Geräts, das einen 8-Zoll-Wafer trägt

 

SiC- und GaN-Wafer liegen auf einem Tisch

Speziell für Materialien mit breitem Bandabstand wie SiC, GaN

Ein Material mit breitem Bandabstand ist eine Art von Halbleitermaterial, dessen Energiebandlücke breiter ist als die eines Standardhalbleiters. Die Materialien mit breitem Bandabstand werden in der Halbleiterindustrie zur Herstellung von Transistoren und anderen integrierten Schaltungen verwendet. Diese Materialien sind für Halbleiter wichtig, da sie eine höhere Leistungseffizienz und schnellere Schaltgeschwindigkeiten ermöglichen. Materialien mit breitem Bandabstand haben auch eine höhere Durchbruchsspannung, was sie für Hochleistungsanwendungen geeignet macht. Außerdem sind sie strahlungsresistenter, was sie ideal für den Einsatz im Weltraum macht. Beispiele für Materialien mit breiter Bandlücke sind Siliziumkarbid, Galliumnitrid und Diamant. Diese Materialien werden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Stromversorgungen, Solarzellen und Laserdioden eingesetzt.


 

Messen des Schichtwiderstands, der Schichtdicke und des elektrischen Widerstands

Der EddyCus® TF map 2530 C2C ist in der Lage den Schichtwiderstand und die Schichtdicke einer Dünnschicht sowie den elektrischen Widerstand eines Wafer-Substrats zu bestimmen. Das Gerät hat einen großen Messbereich, wodurch beinahe alle denkbaren Anwendungen durch das Gerät gemessen werden können.

Eddy Current Sensor S suitable for sheet resistance measurement, metal layer thickness measurement and resistivity measurement

 

Für mehr Informationen schauen sie sich gern unser Datenblatt (PDF) an.

Datenblatt des EddyCus® TF map 2530 C2C

Measurement technology Non-contact eddy current sensor, Capacitive or confocal sensor for TTV
Substrates 6 / 8 inch wafer
Cassettes 1
Edge effect correction / exclusion 2 – 10 mm (depending on size, range, setup and requirements)
Sheet resistance range

0.0001 – 100 Ohm/sq < 1 – 3 % accuracy

100 – 100,000 Ohm/sq < 1 – 5 % accuracy

(6 decades with one sensor)

Total thickness measurement 10 – 100,000 μm (optional)
Thickness measurement of metal films (e.g. Aluminum, Copper) 2 nm – 2 mm (in accordance with sheet resistance)
Measurement patterns (line scan, mapping) 2 nm – 2 mm (in accordance with sheet resistance)
Thickness measurement of metal films (e.g. Aluminum, Copper)

Pitch 1 / 2 / 5 / 10 / 20 / 50 mm

Points 9 / 17 / 49 / 81 / 99 / 169 / 625 / .... / 10,000

Measurement time Line scans in less then 1 second Multi point: 0.1 to 1 second per point
Safety variants

System protected by safety laser scanners

Closed system

Device dimensions (w/d/h) 785 mm x 1,170 mm x 666 mm / 30.91“ x 46.06“ x 26.22“
Available features Resistivity, metal thickness, total thickness variation sensor

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