Wafer- und Panel-Level-Packaging

Durch das Packaging von integrierten Schaltkreisen direkt auf dem Wafer oder anel kann ein Teil der erforderlichen Prozessschritte minimiert werden um so den Anforderungen in der Halbleiterindustrie nach Miniaturisierung bei gleichzeitig hohem Kostendruck nachzukommen. Die Hochfrequenz-Wirbelstromtechnologie ist ein geeignetes Verfahren für die Charakterisierung von Wafer und Panel bei hohen Produktivitätsbedingungen:

Messaufgaben

  • Schichtwiderstand
  • Leitfähigkeit
  • Dicke
  • Homogenität

Substrate

  • Wafer
  • Glas
  • Kunststoff-Formteile

Substratgrößen

  • Wafer-Ebene
    • 2 inch bis 8 inch
  • Panel-Ebene
    • 410 mm x 515 mm
    • 510 mm x 515 mm
    • 500 mm x 500 mm
    • 600 mm x 600 mm
    • 650 mm x 650 mm

Materialen

  • Ti
  • Cu

Prozesse

  • Plating
  • Sputtering

SEMI Standards

  • SEMI MF673 — Test Method for Measuring Resistivity of Semiconductor Wafers or Sheet Resistance of Semiconductor Films with a Noncontact Eddy-Current Gauge
  • SEMI M59 — Terminology for Silicon Technology
  • SEMI MF81 — Test Method for Measuring Radial Resistivity Variation on Silicon Wafers
  • SEMI MF84 — Test Method for Measuring Resistivity of Silicon Wafers with an In-Line Four-Point Probe
  • SEMI MF374 — Test Method for Sheet Resistance of Silicon Epitaxial, Diffused, Polysilicon, and Ion-Implanted Layers Using an In-Line Four-Point Probe with the Single-Configuration Procedure
  • SEMI MF1527 — Guide for Application of Certified Reference Materials and Reference Wafers for Calibration and Control of Instruments for Measuring Resistivity of Silicon

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